InGaAs/GaAs多量子阱近紅外光探測結構設計與表征
所屬分類:技術論文
上傳者:aetmagazine
文檔大小:854 K
標簽: InGaAs/GaAs 多量子阱 紅外
所需積分:0分積分不夠怎么辦?
文檔介紹:介紹了用于近紅外光探測的InGaAs三元化合物材料體系,并通過數學軟件編寫求解出InGaAs/GaAs單量子阱有限深勢阱的波函數方程。根據計算結果,設計出InGaAs/GaAs多量子阱結構,之后采用分子束外延技術完成了高質量外延片結構的研制,通過雙晶X射線衍射等分析手段,推算出多量子阱結構中In的組分,勢壘與勢阱的厚度等參數與理論設計一致,具有很好的近紅外探測器研制價值。
現在下載
VIP會員,AET專家下載不扣分;重復下載不扣分,本人上傳資源不扣分。
香蕉视频下载入口_香蕉视频下载安卓版污免费直播